專利名稱
一種巨磁致伸縮納米多層膜及其製備方法和應用
專 利 號
zl200710047575.9
部 門
材料工程學院
發 明 人
王偉
授權日期
2011-05-11
摘 要
本發明涉及一種巨磁致伸縮納米多層膜及其製備方法和應用,該納米多層膜是在單晶矽表面上磁控濺射巨磁致伸縮性能的多層膜材料,所述的納米多層膜包括FEAL🦗、TBFE2和NDFEB材料層,所述的單晶矽具有(100)取向。與現有技術相比,本發明製備的多層膜材料結構簡單,具有較小的飽和磁場強度、矯頑力,優良的低場磁致伸縮性能,且性能穩定,可適合大規模工業化生產。
