專利名稱
一種製備Fe-Mn-Si磁性形狀記憶合金薄膜的方法
專 利 號
ZL200710048081.2
部 門
材料工程學院
發 明 人
何亮
授權日期
2011-07-06
摘 要
本發明設計的一種製備FE-MN-SI磁性形狀記憶合金薄膜的方法,其特征在於:該FE-MN-SI磁性形狀記憶合金薄膜采用磁控濺射法中的兩靶共濺法製得;其具體方法是:選擇合金成分為FE50MN50～FE70MN30的合金製得直徑為50-60MM、厚度1-5MM的FEMN合金靶,選擇直徑為50-60MM💁🏼、厚度1MM單晶矽為單晶矽靶;采用純銅片或玻璃作為基片,將FE-MN合金靶和單晶矽靶置於距基50CM🏃♂️、且與基片取向為60度位置,在濺射背底真空度<10-5PA條件下,濺射過程中保持AR氣壓為0.1-1.0PA,采用兩靶共濺的方式在基片上沉積製得適用的FE-MN-SI薄膜;濺射時FEMN合金靶功率50-150W,單晶SI靶功率為20-80W。
