專利名稱
一種氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導體材料的製備方法
專 利 號
ZL200910049021.1
部 門
材料工程學院
發 明 人
林文松
授權日期
2011-11-23
摘 要
本發明屬於新型半導體自旋電子器件材料製備領域,具體涉及一種氮摻雜氧化鋅P型稀磁半導體材料的製備方法。該方法包括如下步驟:1)采用反應磁控濺射方法在襯底上交替沉積ZNO和ZN3N2薄層,製備ZNO/ZN3N2多層膜;2)將ZNO/ZN3N2多層膜在含有氧氣的氣氛下進行退火處理,完成製備氮摻雜氧化鋅P型稀磁半導體材料。本發明采用磁控濺射法製備ZNO/ZN3N2多層膜,結合熱氧化退火工藝,可以製備具有C軸擇優取向的氮摻雜ZNO稀磁半導體🧑🏽🚒。采用X射線衍射分析(XRD)、霍爾效應測試和超導量子幹涉儀(SQUID)磁強計對最後得到的樣品薄膜的測試結果表明,本發明獲得的氮摻雜ZNO具有C軸擇優取向特點、具有P型半導體的特征,並具有鐵磁效應➕。
